Tranzystory CoolSiC MOSFET o napięciu znamionowym 2000 V w obudowach TO-247PLUS-4-HCC

Do oferty Infineon wchodzi seria tranzystorów CoolSiC MOSFET o napięciu znamionowym 2000 V, zamykanych w obudowach TO-247PLUS-4-HCC o odstępie izolacyjnym 5,4 mm i drodze upływu 14 mm. Pomimo zwiększonej gęstości mocy w porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami, są one równie niezawodne w zakresie dużych napięć i częstotliwości roboczych. Dzięki małym stratom przy pracy impulsowej, doskonale nadają się do zastosowań w instalacjach fotowoltaicznych, systemach przechowywania energii i stacjach ładowania.

W ramach serii IMYH200RxxxM1H dostępnych jest obecnie 5 tranzystorów n-kanałowych o rezystancji R_DS(ON) od 12 do 100 mΩ i dopuszczalnym prądzie drenu od 26 do 123 A. Wszystkie charakteryzują się napięciem progowym bramki 4,5 V i szerokim zakresem temperatury pracy od -55 do +175°C. Zawierają wewnętrzną diodę zabezpieczającą, istotną w aplikacjach hard-switching. Producent oferuje do nich płytkę ewaluacyjną (ozn. EVAL-COOLSIC-2KVHCC).